Crystal激勵(lì)電平真的可以反映出晶體的性能嗎?
　　石英晶振的性能會(huì)受什么樣的因素影響呢?實(shí)際上這得從兩個(gè)方面來進(jìn)行針對(duì)性說明;由于石英晶振大體上可分為有源晶振和無源晶振這兩種類型,而石英晶性能受影響的根本原因是不一樣的,無源晶振會(huì)被本身固有性能所限制,而有源晶振則是有所不同的;那么晶體的性能是通過什么進(jìn)行表現(xiàn)呢?頻率穩(wěn)定度?電源電壓?,激勵(lì)電平真的能夠反映出晶體的性能嗎?
　　通過測(cè)量晶振的驅(qū)動(dòng)電平了解其使用性能,我們可以設(shè)定驅(qū)動(dòng)級(jí)別由以下公式表示,因此測(cè)量目標(biāo)是RL和i. 　　DL:驅(qū)動(dòng)電平
　　RL:晶體單元負(fù)載下的等效電阻
　　i:流過晶體單元的電流值(有效值)
　　1、“RL:負(fù)載下晶體諧振器的等效電阻”的測(cè)量方法
　　<概述>使用
 　　網(wǎng)絡(luò)分析儀和負(fù)載電容CL jig,用于實(shí)驗(yàn)的晶體單元的RL通過以下測(cè)量程序確定(當(dāng)NDK晶體單元安裝在基板上*1時(shí)).措施.
　　(*1)如果板上沒有安裝NDK晶振單元,請(qǐng)準(zhǔn)備適當(dāng)?shù)腘DK晶體單元并將其用作實(shí)驗(yàn)晶體單元.
　　 <測(cè)量程序>
　　(1)用烙鐵拆下安裝在電路板上的石英晶體單元.
　　(2)去除附著在晶體單元上的多余焊料后,等到晶體單元達(dá)到室溫.
　　(3)石英晶體振蕩器的負(fù)載電容C大號(hào)被設(shè)定為夾具(負(fù)載電容C大號(hào)容量夾具,由規(guī)范指定的負(fù)載電容C大號(hào)).
　　(4)負(fù)載電容C大號(hào)夾具被設(shè)置為網(wǎng)絡(luò)分析儀中,根據(jù)網(wǎng)絡(luò)分析器手冊(cè),晶體振蕩器自身的?大號(hào)被測(cè)量.
　　2、“i:流過石英晶體諧振器的電流值(有效值)”的測(cè)量方法
　　 <總結(jié)>
 　　將實(shí)驗(yàn)晶體諧振器放置在基板上,并使用以下測(cè)量程序確定在指定溫度條件下的峰峰值電流值.測(cè)量并將其轉(zhuǎn)換為RMS值.
　　<測(cè)量程序>
　　(1)將引線連接到實(shí)驗(yàn)晶體單元并將其放置在基板上,電流探頭穿過引線.
　　(2)在將石英晶體單元及其周圍環(huán)境穩(wěn)定在指定溫度后,振蕩晶體單元并使用示波器測(cè)量峰峰值電流值.
　　(3)將峰峰值電流值轉(zhuǎn)換為有效值.正弦波AC有效值計(jì)算方法(見下文)用于轉(zhuǎn)換. 　　 I有效值:流經(jīng)晶體單元的電流值(有效值)
　　 I p-p:流經(jīng)石英晶振晶體單元的電流值(峰值到峰值)
　　 事實(shí)證明, Crystal激勵(lì)電平不管是直接還是間接的,都在一定程度上反映了Crystal的性能.